汤姆Lasek与ASI Robicon现场工程师,主要生产大功率固态工业交流电机变频驱动控制20000惠普和由电压13800伏特。Lasek的职责包括安装/调试,一般这些高性能驱动系统预防性维修和故障排除。他使用一个侥幸几乎每雷竞技app天1550 b兆欧计*:
- 绝缘电阻测试和调试和初创公司对公司系统的文档。
- 故障诊断高压组件在高功率的驱动器。
这个案例研究高压组件和电容器测试方法细节Lasek开发了30多年的经验。
通过使用1550 b作为高压组件测试仪定期预防性维护程序,Lasek发现错误的组件之前失败。预防过早失败节省ASI Robicon及其客户的时间和金钱。
可控硅电压测试
的雷竞技app福禄克1550 b兆欧计可以快速确定非线性设备的相对质量/弱点大功率固态电源:在所(可控硅半导体)和IGBT大功率设备。正常固态组件测试人员利用低电压、低电流测试源和并不总是确定坏设备,特别是如果他们可能破坏载荷。
方法
- 孤立的设备连接,以确保准确的读数。
- 设置一个高电压在1550 b,应用它,注意阅读。
结果
- 损坏可控硅的展览大微分读数测试正向偏压和逆转偏见(阳极向阴极)。
- 新可控硅的通常有几乎相等的数据在两个方向上(约100 MΩ)。
- 任何大功率可控硅阅读5 MΩ受损,应该丢弃。
- 如果可控硅读取50 MΩ200 MΩ1方向和10 MΩ50 MΩ其他(以4:1的区别),它将可能self-gate负载下(而不是解雇在所需的触发点,它会随机门本身)。这是非常糟糕的。它会导致极端的电流脉冲电源和可能导致换向器flash在直流电机由这些用品。
可控硅热测试
如果组件是物理损坏,它可能需要身体热量测试删除。
方法
- 设置福禄克155雷竞技app0 b为实际设备的额定电压。大多数ASI Robicon在所使用480 V vfd(变频驱动器)额定在1400 V。他们也用3000 V系列设备堆放在中压(2300 V和4160 V)驱动器。
- 取两个读数,正向和反向装置时冷。
- 温暖的组件到180°F烤箱和重复测试。
结果
如果泄漏上涨了50%以上,设备必须被丢弃。
常规测试可控硅的说,如果他们不是死做空。Lasek说这种假设是错误的。ASI Robicon维修可控硅电源时,他们的目标是减少进一步的故障和停机时间,而不是减少维修的部分成本。
展品发生变化,变化的任何设备,无机窝读数时提高其额定电压应怀疑是附近的失败和孤立。不稳定的读数显示内部电弧损伤或半导体self-gating /传导。
IGBT开关设备测试
IGBT开关设备也可以热测试,但他们都有一个二极管,所以他们只能检查一个方法(向前)。高功率二极管可以热检查(冷热数据而变化)。
一般情况下,二极管更高的阻力,降低泄漏比在所(读数200 MΩ700 MΩ正常)。
一个读20 MΩ双向可控硅是好的,但读80 MΩ20 MΩ另一种方法是失败的怀疑。开箱即用的新通常读100 MΩ200 MΩ在所内两个方向,相等的两个方向的50%。
电容测试
Lasek还使用兆欧计可调电压函数测试高压电容器。
方法
电荷数相同的电容和比较的时间他们喜欢阅读。
结果
- 如果一个电容器指控极其迅速,开路。
- 如果读数上下反复,电容器内部可能灭弧。
删除和替换设备。
*注意:这个案例研究的原始发布以来,福禄克1550 b已被取代雷竞技app雷竞技app福禄克1550 c绝缘测试仪。